電子行業(yè)深度報(bào)告：先進(jìn)封裝助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)，材料端多品類受益。互連工藝升級(jí)是先進(jìn)封裝的關(guān)鍵，材料升級(jí)是互連工藝升級(jí)的基礎(chǔ)。先進(jìn)封裝技術(shù)在重布線層間距、封裝垂直高度、I/O密度、芯片內(nèi)電流通過(guò)距離 等方面提供更多解決方案，助力芯片集成度和效能進(jìn)一步提升。通過(guò)凸塊 （Bumping）、重布線（RDL）、硅通孔（TSV）及混合鍵合等關(guān)鍵互連工藝，滿 足半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展中日益提升的集成化需求。而工藝的升級(jí)，往往會(huì)伴隨著 材料端的升級(jí)與需求的提升，國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝材料方興未艾。

先進(jìn)封裝帶動(dòng)半導(dǎo)體材料新需求，多品類有望受益

PSPI 光刻膠：PSPI是先進(jìn)封裝核心耗材之一，主要應(yīng)用于再布線（RDL）工藝， 不僅為封裝提供必要的電氣、機(jī)械和熱性能，還能實(shí)現(xiàn)高分辨率的圖案化，大幅 減少了光刻工藝流程。目前，全球PSPI市場(chǎng)被外企高度壟斷，CR4全球市占率 合計(jì)達(dá)到93%，國(guó)產(chǎn)替代需求迫切。國(guó)內(nèi)企業(yè)如鼎龍股份正積極突破，放量在即。

深孔刻蝕類電子特氣：深孔刻蝕類電子特氣以含氟特氣如SF6、C4F8等為主，主 要應(yīng)用于TSV工藝。國(guó)內(nèi)企業(yè)正加速刻蝕氣體國(guó)產(chǎn)替代，如華特氣體、中船特 氣、金宏氣體等在刻蝕氣體領(lǐng)域均取得了技術(shù)突破，并開始逐步替代進(jìn)口產(chǎn)品。

電鍍液：電鍍工藝廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝，電鍍液是核心原材料。具體而言，TSV、 RDL、Bumping、混合鍵合都需要進(jìn)行金屬化薄膜沉積，這將顯著拉動(dòng)電鍍液需 求。目前，全球電鍍液供應(yīng)以外企為主，CR5全球市占率69.49%。中國(guó)電鍍液 正經(jīng)歷由依賴進(jìn)口向國(guó)產(chǎn)化轉(zhuǎn)變的重要階段，上海新陽(yáng)、艾森股份進(jìn)展國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

靶材：靶材為薄膜制備技術(shù)中的關(guān)鍵原材料，主要作用為制作導(dǎo)電層，通常配合 電鍍液使用。在先進(jìn)封裝工藝中，靶材在RDL、TSV、Bumping、混合鍵合工藝 中均有使用。國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，其中江豐電子為代表性企業(yè)。

CMP材料&臨時(shí)鍵合膠：CMP材料在先進(jìn)封裝中的作用主要為拋光和減薄，因 此其在TSV工藝中應(yīng)用較多。目前CMP材料已經(jīng)具備國(guó)產(chǎn)替代條件，其中拋光 墊代表企業(yè)為鼎龍股份、拋光液代表企業(yè)為安集科技。臨時(shí)鍵合膠的作用為在晶 圓減薄過(guò)程中提供機(jī)械支撐，目前全球臨時(shí)鍵合膠市場(chǎng)由外資高度壟斷CR3全 球市占率約40%。中國(guó)大陸企業(yè)起步較晚，鼎龍股份有望率先實(shí)現(xiàn)突破。

環(huán)氧塑封料&硅/鋁微粉：環(huán)氧塑封料核心作用是為芯片提供防護(hù)、導(dǎo)熱、支撐 等，先封封裝尤其是2.5D/3D封裝，對(duì)環(huán)氧塑封料的流動(dòng)性、均勻性和散熱性提 出了更高的要求，進(jìn)而對(duì)其核心原材料硅/鋁微粉的粒徑大小、均一性、放射性 等要求更加嚴(yán)格。目前，先進(jìn)封裝用高端環(huán)氧塑封料和硅/鋁微粉依舊被日韓企 業(yè)所壟斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)如華海誠(chéng)科、聯(lián)瑞新材、壹石通等正加速突破。